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Exynos 2600 : Samsung officialise en silence un SoC 2 nm GAA très ambitieux
Après une vidéo de teasing diffusée début décembre, Samsung opte pour une annonce en toute discrétion mais accompagnée d’une fiche technique percutante. L’Exynos 2600 fait ainsi son apparition sur le site du constructeur, avec une architecture Arm v9.3, une gravure en 2 nm GAA et un GPU Xclipse 960. Samsung annonce un gain de 39 % des performances CPU par rapport à la génération précédente.
Exynos 2600 : CPU Arm v9.3, 2 nm GAA et gestion thermique revue
Le SoC aligne un cluster tri-niveau : un cœur C1-Ultra à 3,8 GHz, trois cœurs C1-Prox3 à 3,25 GHz et six cœurs C1-Prox6 à 2,75 GHz. Le tout repose sur la dernière itération Arm v9.3. La fabrication passe au procédé 2 nm GAA de Samsung Foundry avec un design basse consommation. Côté packaging, la marque introduit un « heat path block » utilisant un matériau High-k EMC censé améliorer la dissipation thermique.
Selon Samsung, le gain CPU atteint 39 % face au prédécesseur. La plateforme gère la mémoire LPDDR5X et le stockage UFS 4.1, ainsi que des écrans jusqu’en 4K ou WQUXGA à 120 Hz.
Xclipse 960, IA dédiée et vidéo 8K
Le GPU Xclipse 960 confirme le support du ray tracing et de l’Exynos Neural Super Sampling (ENSS), une génération et un upscaling d’images assistés par IA. Samsung annonce un doublement des performances de calcul par rapport à la génération précédente. Un bloc IA séparé embarque une NPU 32K MAC et la prise en charge de la cryptographie post-quantique (PQC).
Vidéo et photo restent au niveau attendu : encodage natif en 8K 30p, décodage 8K 60p, prise en charge des codecs modernes AV1 et VP9, ainsi que l’APV maison. Pas de mention de H.266. Côté capture, jusqu’à 320 MP en capteur unique et des rafales à 108 MP à 30 FPS, avec des traitements IA comme le DVNR, pour Deep learning Video Noise Reduction.
Plus de détails devraient être partagés au CES en début d’année prochaine. La fiche produit a été publiée sans communication classique, signe d’un lancement en deux temps.
Source : Samsung Semiconductor
